SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J206FE(TE85L,F | SSM6J206FE(TE85L,F Inventory, Best Pricing

SSM6J206FE(TE85L,F

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भाग संख्या	SSM6J206FE(TE85L,F
LIXINC Part #	SSM6J206FE(TE85L,F
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 20V 2A ES6
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SSM6J206FE(TE85L,F पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

SSM6J206FE(TE85L,F विशेष विवरण

भाग संख्या:	SSM6J206FE(TE85L,F
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.8V, 4V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	130mOhm @ 1A, 4V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	335 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	500mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	ES6 (1.6x1.6)
पैकेज / मामला:	SOT-563, SOT-666

SSM6J206FE(TE85L,F दस्तावेज़

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