NP80N04MHE-S18-AY | Rochester Electronics NP80N04MHE-S18-AY | NP80N04MHE-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP80N04MHE-S18-AY

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भाग संख्या	NP80N04MHE-S18-AY
LIXINC Part #	NP80N04MHE-S18-AY
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 40V 80A TO220
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NP80N04MHE-S18-AY पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NP80N04MHE-S18-AY विशेष विवरण

भाग संख्या:	NP80N04MHE-S18-AY
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	40 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	8mOhm @ 40A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	60 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	-
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3.3 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.8W (Ta), 120W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220
पैकेज / मामला:	TO-220-3

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