SCT3030KLGC11 | ROHM Semiconductor SCT3030KLGC11 | SCT3030KLGC11 Inventory, Best Pricing

SCT3030KLGC11

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भाग संख्या	SCT3030KLGC11
LIXINC Part #	SCT3030KLGC11
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SCT3030KLGC11 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

SCT3030KLGC11 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SCT3030KLGC11
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	72A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	18V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	39mOhm @ 27A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.6V @ 13.3mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	131 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -4V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2222 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	339W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247N
पैकेज / मामला:	TO-247-3

SCT3030KLGC11 दस्तावेज़

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