TSM650P02CX RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM650P02CX RFG | TSM650P02CX RFG Inventory, Best Pricing

TSM650P02CX RFG

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भाग संख्या	TSM650P02CX RFG
LIXINC Part #	TSM650P02CX RFG
उत्पादक	TSC (Taiwan Semiconductor)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TSM650P02CX RFG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TSM650P02CX RFG विशेष विवरण

भाग संख्या:	TSM650P02CX RFG
ब्रैंड:	TSC (Taiwan Semiconductor)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	TSC (Taiwan Semiconductor)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	4.1A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.8V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	65mOhm @ 3A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	800mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	5.1 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	515 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.56W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOT-23
पैकेज / मामला:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TSM650P02CX RFG दस्तावेज़

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