BUK9Y8R7-60E,115 | Nexperia BUK9Y8R7-60E,115 | BUK9Y8R7-60E,115 Inventory, Best Pricing

BUK9Y8R7-60E,115

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भाग संख्या	BUK9Y8R7-60E,115
LIXINC Part #	BUK9Y8R7-60E,115
उत्पादक	Nexperia
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BUK9Y8R7-60E,115 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 11 - Oct 15 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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BUK9Y8R7-60E,115 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BUK9Y8R7-60E,115
ब्रैंड:	Nexperia
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Nexperia
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	86A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	7.5mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	31 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4570 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	147W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	LFPAK56, Power-SO8
पैकेज / मामला:	SC-100, SOT-669

BUK9Y8R7-60E,115 दस्तावेज़

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