केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | SI4477DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4477DY-T1-GE3 |
उत्पादक | Vishay / Siliconix |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | SI4477DY-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | |
शिपिंग |
भाग संख्या: | SI4477DY-T1-GE3 |
ब्रैंड: | Vishay / Siliconix |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | Vishay / Siliconix |
शृंखला: | TrenchFET® |
पैकेट: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | P-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 20 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 26.6A (Tc) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 2.5V, 4.5V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 6.2mOhm @ 18A, 4.5V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 1.5V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 190 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±12V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 4600 pF @ 10 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | 8-SO |
पैकेज / मामला: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
AUIRFS4610TRL | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 898 अधिक आदेश पर |
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STP16NF06 | MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB | 3370 अधिक आदेश पर |
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STH185N10F3-2 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | 979 अधिक आदेश पर |
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NTS4173PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 | 910 अधिक आदेश पर |
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IRFI634GPBF | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3 | 1334 अधिक आदेश पर |
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SIHB25N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 | 811 अधिक आदेश पर |
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RQ6E055BNTCR | MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6 | 1074 अधिक आदेश पर |
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AUIRFB3207 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 874 अधिक आदेश पर |
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FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6 | 9309 अधिक आदेश पर |
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STP36N60M6 | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 | 1099 अधिक आदेश पर |
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2N7002,235 | MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB | 887 अधिक आदेश पर |
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SIA413DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 | 24896 अधिक आदेश पर |
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SIHP22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | 809 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 11000 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.52000 | $1.52 |
2500 | $0.71223 | $1780.575 |
5000 | $0.67879 | $3393.95 |
12500 | $0.65490 | $8186.25 |
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