ES6U1T2R | ROHM Semiconductor ES6U1T2R | ES6U1T2R Inventory, Best Pricing

ES6U1T2R

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भाग संख्या	ES6U1T2R
LIXINC Part #	ES6U1T2R
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	ES6U1T2R पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 07 - Jul 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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ES6U1T2R विशेष विवरण

भाग संख्या:	ES6U1T2R
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Last Time Buy
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	12 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	2.4 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	290 pF @ 6 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	700mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	6-WEMT
पैकेज / मामला:	SOT-563, SOT-666

ES6U1T2R दस्तावेज़

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