SIHA120N60E-GE3 | Vishay / Siliconix SIHA120N60E-GE3 | SIHA120N60E-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHA120N60E-GE3

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भाग संख्या	SIHA120N60E-GE3
LIXINC Part #	SIHA120N60E-GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 25A TO220
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SIHA120N60E-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SIHA120N60E-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SIHA120N60E-GE3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	E
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	25A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	120mOhm @ 12A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	45 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1562 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	34W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220 Full Pack
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Full Pack

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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10	$4.92800	$49.28
100	$4.07137	$407.137
500	$3.32974	$1664.87
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