R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor R6076ENZ1C9 | R6076ENZ1C9 Inventory, Best Pricing

R6076ENZ1C9

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भाग संख्या	R6076ENZ1C9
LIXINC Part #	R6076ENZ1C9
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 76A TO247
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R6076ENZ1C9 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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R6076ENZ1C9 विशेष विवरण

भाग संख्या:	R6076ENZ1C9
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	76A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	42mOhm @ 44.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	260 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	6500 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	120W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247
पैकेज / मामला:	TO-247-3

R6076ENZ1C9 दस्तावेज़

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