BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

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भाग संख्या	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BSC105N10LSFGATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BSC105N10LSFGATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BSC105N10LSFGATMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Not For New Designs
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.4V @ 110µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	53 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3900 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	156W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TDSON-8-1
पैकेज / मामला:	8-PowerTDFN

BSC105N10LSFGATMA1 दस्तावेज़

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