TPWR6003PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPWR6003PL,L1Q

TPWR6003PL,L1Q

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भाग संख्या	TPWR6003PL,L1Q
LIXINC Part #	TPWR6003PL,L1Q
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TPWR6003PL,L1Q पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 01 - Jul 05 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TPWR6003PL,L1Q विशेष विवरण

भाग संख्या:	TPWR6003PL,L1Q
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSIX-H
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	150A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	600µOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	110 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	10000 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	960mW (Ta), 170W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-DSOP Advance
पैकेज / मामला:	8-PowerWDFN

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