BSS223PWH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS223PWH6327XTSA1 | BSS223PWH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS223PWH6327XTSA1

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भाग संख्या	BSS223PWH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS223PWH6327XTSA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BSS223PWH6327XTSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 06 - Jul 10 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

BSS223PWH6327XTSA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BSS223PWH6327XTSA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	390mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.2V @ 1.5µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	0.62 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	56 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	250mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-SOT323-3
पैकेज / मामला:	SC-70, SOT-323

BSS223PWH6327XTSA1 दस्तावेज़

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