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SCTW100N65G2AG

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भाग संख्या	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
उत्पादक	STMicroelectronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SCTW100N65G2AG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SCTW100N65G2AG विशेष विवरण

भाग संख्या:	SCTW100N65G2AG
ब्रैंड:	STMicroelectronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	STMicroelectronics
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	18V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	162 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3315 pF @ 520 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	420W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	HiP247™
पैकेज / मामला:	TO-247-3

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