NTS2101PT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTS2101PT1G

NTS2101PT1G

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भाग संख्या	NTS2101PT1G
LIXINC Part #	NTS2101PT1G
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTS2101PT1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NTS2101PT1G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTS2101PT1G
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	8 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.4A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.8V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	100mOhm @ 1A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	700mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	6.4 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	640 pF @ 8 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	290mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SC-70-3 (SOT323)
पैकेज / मामला:	SC-70, SOT-323

NTS2101PT1G दस्तावेज़

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