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STB33N65M2

STB33N65M2
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भाग संख्या STB33N65M2
LIXINC Part # STB33N65M2
उत्पादक STMicroelectronics
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल STB33N65M2 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Jul 04 - Jul 08 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STB33N65M2 विशेष विवरण

भाग संख्या:STB33N65M2
ब्रैंड:STMicroelectronics
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:STMicroelectronics
शृंखला:MDmesh™ M2
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:24A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:140mOhm @ 12A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:41.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1790 pF @ 100 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):190W (Tc)
परिचालन तापमान:150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:D2PAK
पैकेज / मामला:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB33N65M2 दस्तावेज़

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