SCTH35N65G2V-7AG | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG | SCTH35N65G2V-7AG Inventory, Best Pricing

SCTH35N65G2V-7AG

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भाग संख्या	SCTH35N65G2V-7AG
LIXINC Part #	SCTH35N65G2V-7AG
उत्पादक	STMicroelectronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SCTH35N65G2V-7AG पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 09 - Jul 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SCTH35N65G2V-7AG विशेष विवरण

भाग संख्या:	SCTH35N65G2V-7AG
ब्रैंड:	STMicroelectronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	STMicroelectronics
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	45A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	18V, 20V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	73 nC @ 20 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	208W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	H2PAK-7
पैकेज / मामला:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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