TN0620N3-G-P002 | Roving Networks / Microchip Technology TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002

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भाग संख्या	TN0620N3-G-P002
LIXINC Part #	TN0620N3-G-P002
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TN0620N3-G-P002 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TN0620N3-G-P002 विशेष विवरण

भाग संख्या:	TN0620N3-G-P002
ब्रैंड:	Roving Networks / Microchip Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	250mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	6Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.6V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	150 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-92-3
पैकेज / मामला:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

TN0620N3-G-P002 दस्तावेज़

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