2SJ166-T1B-A | Rochester Electronics 2SJ166-T1B-A | 2SJ166-T1B-A Inventory, Best Pricing

2SJ166-T1B-A

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भाग संख्या	2SJ166-T1B-A
LIXINC Part #	2SJ166-T1B-A
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	P-CHANNEL MOSFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	2SJ166-T1B-A पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 03 - Jul 07 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

2SJ166-T1B-A विशेष विवरण

भाग संख्या:	2SJ166-T1B-A
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	*
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	-
तकनीकी:	-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	-
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	-
परिचालन तापमान:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	-
पैकेज / मामला:	-

DN2530N3-G	MOSFET N-CH 300V 175MA TO92	3800 अधिक आदेश पर
IPA60R380E6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP	1954 अधिक आदेश पर
SQ4184EY-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC	2511 अधिक आदेश पर
IRLR014PBF	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	877 अधिक आदेश पर
APT24M120L	MOSFET N-CH 1200V 24A TO264	920 अधिक आदेश पर
MTB16N25ET4	N-CHANNEL POWER MOSFET	185694 अधिक आदेश पर
IXFK44N80P	MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA	1579 अधिक आदेश पर
IXFX200N10P	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3	911 अधिक आदेश पर
SI3407DV-T1-BE3	MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP	3816 अधिक आदेश पर
IPB120P04P404ATMA2	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3	3755 अधिक आदेश पर
BUK7E2R7-30B,127	PFET, 75A I(D), 30V, 0.0027OHM,	1846 अधिक आदेश पर
IPD50R500CEBTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	16908 अधिक आदेश पर
AOWF11N60	MOSFET N-CH 600V 11A TO262F	874 अधिक आदेश पर

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