R6007JNXC7G | ROHM Semiconductor R6007JNXC7G | R6007JNXC7G Inventory, Best Pricing

R6007JNXC7G

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भाग संख्या	R6007JNXC7G
LIXINC Part #	R6007JNXC7G
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R6007JNXC7G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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R6007JNXC7G विशेष विवरण

भाग संख्या:	R6007JNXC7G
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	7A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	15V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	780mOhm @ 3.5A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	7V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	17.5 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	475 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	46W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220FM
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Full Pack

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