NTD4860NT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTD4860NT4G

NTD4860NT4G

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भाग संख्या	NTD4860NT4G
LIXINC Part #	NTD4860NT4G
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTD4860NT4G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NTD4860NT4G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTD4860NT4G
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10.4A (Ta), 65A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	7.5mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	16.5 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1308 pF @ 12 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.28W (Ta), 50W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DPAK
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4860NT4G दस्तावेज़

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