UF3C065030K3S | UnitedSiC UF3C065030K3S | UF3C065030K3S Inventory, Best Pricing

UF3C065030K3S

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भाग संख्या	UF3C065030K3S
LIXINC Part #	UF3C065030K3S
उत्पादक	UnitedSiC
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	UF3C065030K3S पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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UF3C065030K3S विशेष विवरण

भाग संख्या:	UF3C065030K3S
ब्रैंड:	UnitedSiC
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	UnitedSiC
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	85A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	12V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	35mOhm @ 50A, 12V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	6V @ 10mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	51 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम):	±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1500 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	441W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247-3
पैकेज / मामला:	TO-247-3

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