TPH8R80ANH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

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भाग संख्या	TPH8R80ANH,L1Q
LIXINC Part #	TPH8R80ANH,L1Q
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TPH8R80ANH,L1Q पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TPH8R80ANH,L1Q विशेष विवरण

भाग संख्या:	TPH8R80ANH,L1Q
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSVIII-H
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	32A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	8.8mOhm @ 16A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	33 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2800 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.6W (Ta), 61W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-SOP Advance (5x5)
पैकेज / मामला:	8-PowerVDFN

TPH8R80ANH,L1Q दस्तावेज़

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