RQ3E180BNTB | ROHM Semiconductor RQ3E180BNTB | RQ3E180BNTB Inventory, Best Pricing

RQ3E180BNTB

बड़े आकार में

केवल संदर्भ के लिए

भाग संख्या	RQ3E180BNTB
LIXINC Part #	RQ3E180BNTB
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RQ3E180BNTB पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

RQ3E180BNTB विशेष विवरण

भाग संख्या:	RQ3E180BNTB
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	39A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	3.9mOhm @ 18A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	37 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3500 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2W (Ta), 20W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-HSMT (3.2x3)
पैकेज / मामला:	8-PowerVDFN

RQ3E180BNTB दस्तावेज़

जिन उत्पादों में आपकी रुचि हो सकती है

IPW60R037CSFDXKSA1	MOSFET N CH	1072 अधिक आदेश पर
STD65N55F3	MOSFET N-CH 55V 80A DPAK	849 अधिक आदेश पर
SIHG24N65E-E3	MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC	803 अधिक आदेश पर
IRLIZ44GPBF	MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3	1658 अधिक आदेश पर
IPW60R330P6FKSA1	MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3	29634 अधिक आदेश पर
NDPL180N10BG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1519 अधिक आदेश पर
PHK5NQ15T,518	MOSFET N-CH 150V 5A 8SO	917 अधिक आदेश पर
SUM50010E-GE3	MOSFET N-CH 60V 150A TO263	1648 अधिक आदेश पर
BSC040N10NS5ATMA1	MOSFET N-CH 100V 100A TDSON	27258 अधिक आदेश पर
IPB60R299CPATMA1	MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3	19673 अधिक आदेश पर
SI2393DS-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23	10526 अधिक आदेश पर
SQS401ENW-T1_GE3	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8	3855 अधिक आदेश पर
HUF75332P3_NL	N-CHANNEL POWER MOSFET	849 अधिक आदेश पर

त्वरित पूछताछ

स्टॉक में	11226 - अधिक आदेश पर
उद्धरण सीमा	कोई सीमा नहीं
समय सीमा	पुष्टि की
न्यूनतम	1

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

मूल्य निर्धारण (USD)

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.61000	$0.61
3000	$0.20540	$616.2
6000	$0.19215	$1152.9
15000	$0.18552	$2782.8

Lixinc आपके लिए सबसे अधिक प्रतिस्पर्धी कीमतों की पेशकश करेगा, कृपया कोटेशन देखें।

संपर्क करें

हमें कॉल करें

E-MAIL

[email protected]

SKYPE

LIXINC

संदेश

मेसेज भेजें

विवरण के लिए हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

हमारे प्रमाण पत्र

ISO9001:2015 & ISO14001:2015