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TPH3206LDGB

TPH3206LDGB
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भाग संख्या TPH3206LDGB
LIXINC Part # TPH3206LDGB
उत्पादक Transphorm
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण GANFET N-CH 650V 16A PQFN
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल TPH3206LDGB पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 27 - Oct 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPH3206LDGB विशेष विवरण

भाग संख्या:TPH3206LDGB
ब्रैंड:Transphorm
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Transphorm
शृंखला:-
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:16A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:180mOhm @ 11A, 8V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.6V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:9.3 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):±18V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:760 pF @ 480 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):81W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PQFN (8x8)
पैकेज / मामला:3-PowerDFN

TPH3206LDGB दस्तावेज़

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