NTBG020N120SC1 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTBG020N120SC1

NTBG020N120SC1

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भाग संख्या	NTBG020N120SC1
LIXINC Part #	NTBG020N120SC1
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTBG020N120SC1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NTBG020N120SC1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTBG020N120SC1
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	8.6A (Ta), 98A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	20V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	28mOhm @ 60A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.3V @ 20mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	220 nC @ 20 V
वीजीएस (अधिकतम):	+25V, -15V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2943 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.7W (Ta), 468W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D2PAK-7
पैकेज / मामला:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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