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STFI10N62K3

STFI10N62K3
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भाग संख्या STFI10N62K3
LIXINC Part # STFI10N62K3
उत्पादक STMicroelectronics
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल STFI10N62K3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STFI10N62K3 विशेष विवरण

भाग संख्या:STFI10N62K3
ब्रैंड:STMicroelectronics
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:STMicroelectronics
शृंखला:SuperMESH3™
पैकेट:Tube
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):620 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:8.4A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:750mOhm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4.5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:42 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1250 pF @ 50 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):30W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:I2PAKFP (TO-281)
पैकेज / मामला:TO-262-3 Full Pack, I²Pak

STFI10N62K3 दस्तावेज़

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