RTR025N05HZGTL | ROHM Semiconductor RTR025N05HZGTL | RTR025N05HZGTL Inventory, Best Pricing

RTR025N05HZGTL

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भाग संख्या	RTR025N05HZGTL
LIXINC Part #	RTR025N05HZGTL
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RTR025N05HZGTL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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RTR025N05HZGTL विशेष विवरण

भाग संख्या:	RTR025N05HZGTL
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	45 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	130mOhm @ 2.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	3.2 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	250 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	700mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TSMT3
पैकेज / मामला:	SC-96

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