RUM002N05T2L | ROHM Semiconductor RUM002N05T2L | RUM002N05T2L Inventory, Best Pricing

RUM002N05T2L

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भाग संख्या	RUM002N05T2L
LIXINC Part #	RUM002N05T2L
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RUM002N05T2L पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 03 - Jul 07 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

RUM002N05T2L विशेष विवरण

भाग संख्या:	RUM002N05T2L
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	50 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	200mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	1.2V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	25 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	150mW (Ta)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	VMT3
पैकेज / मामला:	SOT-723

RUM002N05T2L दस्तावेज़

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8000	$0.05760	$460.8
16000	$0.05120	$819.2
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