TPH3205WSBQA | Transphorm TPH3205WSBQA | TPH3205WSBQA Inventory, Best Pricing

TPH3205WSBQA

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भाग संख्या	TPH3205WSBQA
LIXINC Part #	TPH3205WSBQA
उत्पादक	Transphorm
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TPH3205WSBQA पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 15 - Jul 19 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

TPH3205WSBQA विशेष विवरण

भाग संख्या:	TPH3205WSBQA
ब्रैंड:	Transphorm
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Transphorm
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Not For New Designs
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	35A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.6V @ 700µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	42 nC @ 8 V
वीजीएस (अधिकतम):	±18V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2200 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247-3
पैकेज / मामला:	TO-247-3

TPH3205WSBQA दस्तावेज़

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