RJ1U330AAFRGTL | ROHM Semiconductor RJ1U330AAFRGTL | RJ1U330AAFRGTL Inventory, Best Pricing

RJ1U330AAFRGTL

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भाग संख्या	RJ1U330AAFRGTL
LIXINC Part #	RJ1U330AAFRGTL
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	RJ1U330AAFRGTL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Aug 14 - Aug 18 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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RJ1U330AAFRGTL विशेष विवरण

भाग संख्या:	RJ1U330AAFRGTL
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	33A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	105mOhm @ 16.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	80 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4500 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	211W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	LPTS
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RJ1U330AAFRGTL दस्तावेज़

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