IPSA70R1K4CEAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4CEAKMA1 | IPSA70R1K4CEAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4CEAKMA1

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भाग संख्या	IPSA70R1K4CEAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4CEAKMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPSA70R1K4CEAKMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 24 - Sep 28 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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IPSA70R1K4CEAKMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPSA70R1K4CEAKMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	700 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	5.4A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.4Ohm @ 1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	225 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	53W (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO251-3
पैकेज / मामला:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPSA70R1K4CEAKMA1 दस्तावेज़

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