XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ

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भाग संख्या	XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN9R614MC,L1XHQ
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	XPN9R614MC,L1XHQ पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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XPN9R614MC,L1XHQ विशेष विवरण

भाग संख्या:	XPN9R614MC,L1XHQ
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSVI
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	40 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	40A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.1V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	64 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	+10V, -20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3000 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	840mW (Ta), 100W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
पैकेज / मामला:	8-PowerVDFN

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