BUK6E4R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK6E4R0-75C,127 | BUK6E4R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK6E4R0-75C,127

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भाग संख्या	BUK6E4R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK6E4R0-75C,127
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BUK6E4R0-75C,127 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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BUK6E4R0-75C,127 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BUK6E4R0-75C,127
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	75 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4.2mOhm @ 25A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.8V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	234 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±16V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	15.45 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	306W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	I2PAK
पैकेज / मामला:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

BUK6E4R0-75C,127 दस्तावेज़

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