TSM60NB1R4CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM60NB1R4CH C5G | TSM60NB1R4CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM60NB1R4CH C5G

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भाग संख्या	TSM60NB1R4CH C5G
LIXINC Part #	TSM60NB1R4CH C5G
उत्पादक	TSC (Taiwan Semiconductor)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TSM60NB1R4CH C5G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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TSM60NB1R4CH C5G विशेष विवरण

भाग संख्या:	TSM60NB1R4CH C5G
ब्रैंड:	TSC (Taiwan Semiconductor)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	TSC (Taiwan Semiconductor)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.4Ohm @ 900mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	7.12 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	257.3 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	28.4W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-251 (IPAK)
पैकेज / मामला:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TSM60NB1R4CH C5G दस्तावेज़

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