SI3851DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI3851DV-T1-E3 | SI3851DV-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI3851DV-T1-E3

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भाग संख्या	SI3851DV-T1-E3
LIXINC Part #	SI3851DV-T1-E3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SI3851DV-T1-E3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 28 - Oct 02 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SI3851DV-T1-E3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SI3851DV-T1-E3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	LITTLE FOOT®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.6A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	200mOhm @ 1.8A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	3.6 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	830mW (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	6-TSOP
पैकेज / मामला:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3851DV-T1-E3 दस्तावेज़

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