NTD3055L170-1G | Rochester Electronics NTD3055L170-1G | NTD3055L170-1G Inventory, Best Pricing

NTD3055L170-1G

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भाग संख्या	NTD3055L170-1G
LIXINC Part #	NTD3055L170-1G
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NTD3055L170-1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

NTD3055L170-1G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NTD3055L170-1G
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	9A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	170mOhm @ 4.5A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±15V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	275 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	I-PAK
पैकेज / मामला:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NTD3055L170-1G दस्तावेज़

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