SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3
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भाग संख्या SIHD1K4N60E-GE3
LIXINC Part # SIHD1K4N60E-GE3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालकट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SIHD1K4N60E-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 23 - Oct 27 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIHD1K4N60E-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SIHD1K4N60E-GE3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:E
पैकेट:Bulk
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:4.2A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:1.45Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:7.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:172 pF @ 100 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):63W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-252AA
पैकेज / मामला:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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