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G3R20MT12N

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भाग संख्या	G3R20MT12N
LIXINC Part #	G3R20MT12N
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	G3R20MT12N पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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G3R20MT12N विशेष विवरण

भाग संख्या:	G3R20MT12N
ब्रैंड:	GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	GeneSiC Semiconductor
शृंखला:	G3R™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	105A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	15V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	24mOhm @ 60A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.69V @ 15mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	219 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम):	+20V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5873 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	365W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOT-227
पैकेज / मामला:	SOT-227-4, miniBLOC

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