FDS6673BZ-F085 | Rochester Electronics FDS6673BZ-F085 | FDS6673BZ-F085 Inventory, Best Pricing

FDS6673BZ-F085

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भाग संख्या	FDS6673BZ-F085
LIXINC Part #	FDS6673BZ-F085
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	FDS6673BZ-F085 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 29 - Oct 03 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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FDS6673BZ-F085 विशेष विवरण

भाग संख्या:	FDS6673BZ-F085
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	14.5A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	7.8mOhm @ 14.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	124 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4.7 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2.5W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-SOIC
पैकेज / मामला:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6673BZ-F085 दस्तावेज़

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