SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

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भाग संख्या	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SISS60DN-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SISS60DN-T1-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SISS60DN-T1-GE3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	TrenchFET® Gen IV
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	85.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	+16V, -12V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3960 pF @ 15 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Body)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerPAK® 1212-8S
पैकेज / मामला:	PowerPAK® 1212-8S

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