IPW60R099P6XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW60R099P6XKSA1 | IPW60R099P6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW60R099P6XKSA1

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भाग संख्या	IPW60R099P6XKSA1
LIXINC Part #	IPW60R099P6XKSA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPW60R099P6XKSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

IPW60R099P6XKSA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPW60R099P6XKSA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	CoolMOS™ P6
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	37.9A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	99mOhm @ 14.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.5V @ 1.21mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	70 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3330 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	278W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO247-3
पैकेज / मामला:	TO-247-3

IPW60R099P6XKSA1 दस्तावेज़

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समय सीमा	पुष्टि की
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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.99000	$5.99
10	$5.38656	$53.8656
240	$4.47973	$1075.1352
720	$3.69371	$2659.4712
1200	$3.16969	$3803.628

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