SCT3120ALHRC11 | ROHM Semiconductor SCT3120ALHRC11 | SCT3120ALHRC11 Inventory, Best Pricing

SCT3120ALHRC11

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भाग संख्या	SCT3120ALHRC11
LIXINC Part #	SCT3120ALHRC11
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SCT3120ALHRC11 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SCT3120ALHRC11 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SCT3120ALHRC11
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	21A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	18V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.6V @ 3.33mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	38 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -4V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	460 pF @ 500 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	103W
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247N
पैकेज / मामला:	TO-247-3

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