VN10KN3-G-P013 | Roving Networks / Microchip Technology VN10KN3-G-P013

VN10KN3-G-P013

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भाग संख्या	VN10KN3-G-P013
LIXINC Part #	VN10KN3-G-P013
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VN10KN3-G-P013 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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VN10KN3-G-P013 विशेष विवरण

भाग संख्या:	VN10KN3-G-P013
ब्रैंड:	Roving Networks / Microchip Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	310mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	60 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-92-3
पैकेज / मामला:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

VN10KN3-G-P013 दस्तावेज़

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