IXFR12N100Q | Wickmann / Littelfuse IXFR12N100Q | IXFR12N100Q Inventory, Best Pricing

IXFR12N100Q

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भाग संख्या	IXFR12N100Q
LIXINC Part #	IXFR12N100Q
उत्पादक	Wickmann / Littelfuse
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IXFR12N100Q पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IXFR12N100Q विशेष विवरण

भाग संख्या:	IXFR12N100Q
ब्रैंड:	Wickmann / Littelfuse
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Wickmann / Littelfuse
शृंखला:	HiPerFET™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1000 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.1Ohm @ 6A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.5V @ 4mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	90 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2900 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	250W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	ISOPLUS247™
पैकेज / मामला:	ISOPLUS247™

IXFR12N100Q दस्तावेज़

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