IRFH5210TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5210TRPBF | IRFH5210TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5210TRPBF

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भाग संख्या	IRFH5210TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5210TRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFH5210TRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 09 - Oct 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFH5210TRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFH5210TRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10A (Ta), 55A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	14.9mOhm @ 33A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	59 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2570 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-PQFN (5x6)
पैकेज / मामला:	8-PowerVDFN

IRFH5210TRPBF दस्तावेज़

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