केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | IRF1010ZSPBF |
LIXINC Part # | IRF1010ZSPBF |
उत्पादक | Rochester Electronics |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | IRF1010ZSPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Jul 01 - Jul 05 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | ![]() |
शिपिंग | ![]() |
भाग संख्या: | IRF1010ZSPBF |
ब्रैंड: | Rochester Electronics |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | Rochester Electronics |
शृंखला: | HEXFET® |
पैकेट: | Bulk |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 55 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 75A (Tc) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | - |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 4V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 95 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±20V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 2840 pF @ 25 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 140W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | D2PAK |
पैकेज / मामला: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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APT10M09LVFRG | MOSFET N-CH 100V 100A TO264 | 995 अधिक आदेश पर |
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FDD4N60NZ | MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK | 5841 अधिक आदेश पर |
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ZXMN10A25GTA | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | 12710 अधिक आदेश पर |
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FDP8030L | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 8169 अधिक आदेश पर |
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ATP602-TL-H | MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK | 66913 अधिक आदेश पर |
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PMV16UN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 318540 अधिक आदेश पर |
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APT34M60S | MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK | 946 अधिक आदेश पर |
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BUK754R3-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB | 5771 अधिक आदेश पर |
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SSM3K376R,LF | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F | 11269 अधिक आदेश पर |
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IRFH8316TRPBF-IR | IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET | 5306 अधिक आदेश पर |
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SQM40010EL_GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 973 अधिक आदेश पर |
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AONR66406 | MOSFET N-CH 40V 22A/30A 8DFN | 904 अधिक आदेश पर |
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BSZ16DN25NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | 18506 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 11971 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.47000 | $0.47 |
3200 | $0.47000 | $1504 |
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