R6006JNJGTL | ROHM Semiconductor R6006JNJGTL | R6006JNJGTL Inventory, Best Pricing

R6006JNJGTL

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भाग संख्या	R6006JNJGTL
LIXINC Part #	R6006JNJGTL
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	R6006JNJGTL पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 09 - Oct 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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R6006JNJGTL विशेष विवरण

भाग संख्या:	R6006JNJGTL
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	15V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	936mOhm @ 3A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	7V @ 800µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	15.5 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	410 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	86W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	LPTS
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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