केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | CSD19506KTT |
LIXINC Part # | CSD19506KTT |
उत्पादक | Texas Instruments |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | CSD19506KTT पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | ![]() |
शिपिंग | ![]() |
भाग संख्या: | CSD19506KTT |
ब्रैंड: | Texas Instruments |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | Texas Instruments |
शृंखला: | NexFET™ |
पैकेट: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 80 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 200A (Ta) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 6V, 10V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.2V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 156 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±20V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 12200 pF @ 40 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 375W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Surface Mount |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | DDPAK/TO-263-3 |
पैकेज / मामला: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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AOT284L | MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO220 | 808 अधिक आदेश पर |
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AOK27S60L | MOSFET N-CH 600V 27A TO247 | 903 अधिक आदेश पर |
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IRLU8743PBF | MOSFET N-CH 30V 160A IPAK | 7202 अधिक आदेश पर |
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RJK0328DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 33942 अधिक आदेश पर |
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SI2318DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 | 1230 अधिक आदेश पर |
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IXTA1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263 | 912 अधिक आदेश पर |
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SIHU7N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK | 882 अधिक आदेश पर |
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BSB013NE2LXIXUMA1 | MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON | 9619 अधिक आदेश पर |
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SISS71DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S | 804 अधिक आदेश पर |
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FQD3P50TM-AM002BLT | MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252 | 822 अधिक आदेश पर |
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IXFR24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | 800 अधिक आदेश पर |
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IPP100N08S2L07AKSA1 | MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 | 1154 अधिक आदेश पर |
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BUK9E15-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 965 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 10984 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.47000 | $5.47 |
500 | $2.99922 | $1499.61 |
1000 | $2.54319 | $2543.19 |
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