TK60P03M1,RQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

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भाग संख्या	TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part #	TK60P03M1,RQ(S
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TK60P03M1,RQ(S पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 02 - Jul 06 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
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TK60P03M1,RQ(S विशेष विवरण

भाग संख्या:	TK60P03M1,RQ(S
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	U-MOSVI-H
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Last Time Buy
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	60A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	6.4mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.3V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	40 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2700 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	63W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DPAK
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK60P03M1,RQ(S दस्तावेज़

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