MVB50P03HDLT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

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भाग संख्या	MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part #	MVB50P03HDLT4G
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	MVB50P03HDLT4G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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MVB50P03HDLT4G विशेष विवरण

भाग संख्या:	MVB50P03HDLT4G
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	P-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	50A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	25mOhm @ 25A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	100 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±15V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4.9 nF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D2PAK-3
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MVB50P03HDLT4G दस्तावेज़

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